功能描述：MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：75nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11400pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：250W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220-3

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：50

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